SI9948AEY-T1-GE3 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаSI9948AEY-T1-GE3
-
ПроизводительVishay Intertechnology
-
ОписаниеVishay Intertechnology SI9948AEY-T1-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 2.6 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.17 Ohms Configuration: Dual Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOIC-8 Narrow Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 2.4 W Factory Pack Quantity: 2500 Part # Aliases: SI9948AEY-GE3
-
Количество страниц8 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
22.05.2024
21.05.2024
20.05.2024